IMEC展示晶圆到晶圆混合键合技术

近期，比利时微电子研究中心（IMEC）与奥地利EV集团在IEEE 2026年电子元件与技术会议上，展示高良率晶圆到晶圆混合键合技术。该技术可支持CMOS 2.0微缩范式设想的逻辑到逻辑层、内存到逻辑层堆叠。
研究团队运用EV集团的GEMINI FB混合键合与熔融键合系统，在键合前预加工4层可布线互连的测试载片上，验证200 nm互连节距的晶圆到晶圆混合键合技术，整个300 mm晶圆100%裸片的铜（Cu）焊盘到焊盘键合后套刻偏差向量小于40 nm。
IMEC表示，实现晶圆到晶圆混合键合技术得益于协同优化混合键合工艺流程中的各项关键要求，主要包括：使用SiCN作为介电材料；在键合之前进行化学机械抛光获得极高晶圆内均匀性，产生极平坦的介电质表面，同时将Cu焊盘的凹陷深度控制在数nm；改进Cu焊盘设计；以及在键合前进行光刻校正等。